「iPhone 6 Plus」128GBモデルで報告されていたクラッシュ＆再起動ループ問題の対策として、AppleはiPhone 6/6 Plusで使用されているTLC (triple-level cell) NANDフラッシュをMLC (multi-level) NANDフラッシュへ切り替えるかもしれないとBussinessKOREAが報じています(MacRumors、AppleInsider)。
BussinessKOREAによると、問題はTLC NANDフラッシュのコントローラーICが原因で発生しており、このコントローラーICは、Appleが2011年に買収したSSDメーカーAnobitにより作られているものだということ。
As a result, Apple is planning to use MLC NAND flash in the 64GB iPhone 6 and the 128GB iPhone 6+ in the future. The company will reportedly improve products already equipped with TLC NAND by providing the iOS8.1.1 update within the year.
Appleは将来的に、iPhone 6 64GBモデルと、iPhone 6+ 128GBで使われているTLC NANDフラッシュをMLC NANDフラッシュに切り替えるとともに、iOS 8.1.1のソフトウェアアップデートで既に供給済みのTLC NANDフラッシュ搭載モデルの問題の解消を狙っているとも伝えています(注: 分かりづらいですがMLCが搭載されている機種は、iPhone 6/6 Plusの16GBモデル全部と64GBモデルの一部らしく、それ以外は全部TLCのようです)
以前9to5Macはこの問題に対し、クラッシュ＆再起動は、アプリのインストールしすぎが原因でNANDフラッシュを原因としたリコールはないといって指摘しており、今回の報道とは対立しています。前回のリコール騒動のときの情報発信源もBussinessKOREAだったのでよほど内部情報に詳しいのかどうなのか、今後の経緯が注目されます。
